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网站首页 >> 美国力特（Littelfuse)保险丝 >> 嵌位二极管

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产品展示

15KP

嵌位二极管

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系列: 15KP 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 15000W 轴向引线式瞬变电压二极管 - 15KP 系列
1.5KE

嵌位二极管

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系列: 1.5KE 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 1500W 轴向引线式瞬变电压二极管 - 1.5KE 系列
P4KE

嵌位二极管

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系列: P4KE 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 400W 轴向引线式电压瞬变电压抑制器特性： . 符合 RoHS . 塑料封装 . 在 DO-41 封装中使用玻钝芯片结 . 在 10/1000 us 波形中可抗 400W 浪涌电压 . 优异的钳位功能 . 低齐纳阻抗 . 快速响应时间：从 0 伏到 V(BR) 最小值通常低于 1.0ps . 在 10 伏以上通常 IR 低于 1 uA . (9.5 毫米) 引线长度，5 磅 (2.3 公斤) 张力
5KP

嵌位二极管

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系列: 5KP 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 5000W 轴向引线式瞬变电压二极管 - 5KP 系列
SA

嵌位二极管

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系列: SA 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 500W 轴向引线式瞬变电压二极管 - SA 系列
P6KE

嵌位二极管

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系列: P6KE 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 600W 轴向引线式瞬变电压二极管 - P6KE 系列
ICTE

嵌位二极管

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系列: ICTE 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) ICTE 系列 - 1500W 瞬变电压二极管
LCE

嵌位二极管

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系列: LCE 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) LCE 系列 - 1500W 低电容瞬变电压二极管
MPTE

嵌位二极管

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系列: MPTE 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) MPTE 系列 - 1500W 瞬变电压二极管
SLD

嵌位二极管

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系列: SLD 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) SLD® 系列 - 在负荷突降的情况下起保护作用的大功率汽车用瞬变电压二极管
AK10

嵌位二极管

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系列: AK10 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 保护交流线路的瞬变电压二极管 - AK10 FOLDBAK® 系列
AK6

嵌位二极管

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系列: AK6 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 保护交流线路的瞬变电压二极管 - AK6 FOLDBAK® 系列
15KPC

嵌位二极管

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系列: 15KPC 技术: 硅雪崩二极管 (SAD) 15KP 单元 - 针对 (8x20us) 诱导雷电条件优化的大功率瞬变电压二极管
ATO® 二极管

嵌位二极管

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系列: ATO® 二极管技术: 硅雪崩二极管 (SAD) ATO® 二极管
MINI® 二极管

嵌位二极管

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系列: MINI® 二极管技术: 硅雪崩二极管 (SAD) MINI® 二极管
SP05XBAC

嵌位二极管

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系列: SP05xBAC 技术: 嵌位二极管阵列采用单极芯片级封装的瞬变电压雪崩二极管阵列抑制器该系列的雪崩二极管阵列用于提供静电放电保护，采用超小型芯片级封装。该多通道器件有助于保护单极电压高达 5 伏直流的数据、信号或控制线路上敏感的数字或模拟输入电路。先进而精良的结构旨在抑制静电放电和其它瞬变过压事件，以符合 International Electrotechnical Compatibility (EMC 针对静电放电要求设立的瞬变保护标准 IEC 61000-4-2)。单晶硅器件采用专为瞬变电压抑制器 (TVS) 设计的结构。这些结构的尺寸和形状都是专为瞬变保护定制的。低电容值和钳位电压是保护高速信号线路的理想之选。
SP721

嵌位二极管

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系列: SP721 技术: 嵌位二极管阵列用于提供静电放电和过压保护的硅控整流器/二极管阵列 SP721 是采用硅控整流器/二极管双极结构的阵列，专为敏感的输入电路提供静电放电和过压保护。SP721 的每个输入有两个保护性的硅控整流器/二极管结构。共有 6 个输入，最多可保护 6 条外部信号线或总线。过压保护范围从 IN (引线 1-3 和 5-7) 到 V+ 或 V-。硅控整流器结构旨在达到以下阈值时快速触发：高于 V+ 的一个 +VBE 二极管阈值 (引线 8)，或低于 V- 的一个 -VBE 二极管阈值 (引线 4)。从 IN 输入，如果瞬变脉冲导致输入电压比 V+ 高一个 VBE，则启动 V+ 的钳位电压。如果向 IN 输入应用的负脉冲比 V- 低一个 VBE，则启动 V- 的钳位电压。标准的静电放电人体模型 (HBM) 功能为：请参阅图 1 和表 1，了解更多详细信息。请参阅应用摘记 AN9304 和 AN9612，了解其它信息。
SP723

嵌位二极管

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系列: SP723 技术: 嵌位二极管阵列用于提供静电放电和过压保护的硅控整流器/二极管阵列 SP723 是采用硅控整流器/二极管双极结构的阵列，专为敏感的输入电路提供静电放电和过压保护。SP723 的每个输入有两个起保护作用的硅控整流器/二极管器件结构。共有 6 个输入，最多可保护 6 条外部信号线或总线。过压保护范围从 IN (引线 1-3 和 5-7) 到 V+ 或 V-。硅控整流器结构旨在达到以下阈值时快速触发：高于 V+ 的一个 +VBE 二极管阈值 (引线 8)，或低于 V- 的一个 -VBE 二极管阈值 (引线 4)。从 IN 输入，如果瞬变脉冲导致输入电压比 V+ 高一个 VBE，则启动 V+ 的钳位电压。如果向 IN 输入应用的负脉冲比 V- 低一个 VBE，则启动 V- 的钳位电压。 SP723 与 SP720 和 SP721 相似。请参阅应用摘记 AN9304 和 AN9612，了解更多详细信息。
SP724

嵌位二极管

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系列: SP724 技术: 嵌位二极管阵列用于提供静电放电和过压保护的硅控整流器/二极管阵列 SP724 是瞬变电压钳位电路的 quad 阵列，用于抑制静电放电及其它瞬变过压事件。SP724 有助于保护电源电压高达 20 伏直流的数据、信号或控制线路上敏感的数字或模拟输入电路。 SP724 由双极硅控整流器/二极管结构组成，它们将任一极的瞬变导向电源导轨，最多可保护四条独立线路。SP724 提供极低的漏泄电流 (通常为 1nA) 和低输入电容 (通常为 3 皮法)。此外，SP724 可以耐受 IEC 61000-4-2 静电放电规范 (接触放电和空气放电 - 4 级)。 SP724 连接到敏感输入线路及其相关的电源线路。钳位操作在瞬变脉冲期间执行，当输入线路的电压比 V+ 电源电压高一个 VBE 阈值时 (或比 V- 电源电压低一个 VBE 阈值时)，将打开二极管并快速触发硅控整流器结构。因此，只要属于运行范围以内，SP724 的运行就不会受到不良电源调整或电压波动的影响。
SP720

嵌位二极管

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系列: SP720 技术: 嵌位二极管阵列用于提供静电放电和过压保护的硅控整流器/二极管阵列 SP720 是采用硅控整流器/二极管双极结构的阵列，专为敏感的输入电路提供静电放电和过压保护。SP720 的每个输入有两个保护性的硅控整流器/二极管器件结构。共有 14 个输入，最多可保护 14 条外部信号线或总线。过压保护范围从 IN (引线 1-7 和 9-15) 到 V+ 或 V-。硅控整流器结构旨在达到以下阈值时快速触发：高于 V+ 的一个 +VBE 二极管阈值 (引线 16)，或低于 V- 的一个 -VBE 二极管阈值 (引线 8)。从 IN 输入，如果瞬变脉冲导致输入电压比 V+ 高一个 VBE，则启动 V+ 的钳位电压。如果向 IN 输入应用的负脉冲比 V- 低一个 VBE，则启动 V- 的钳位电压。标准的静电放电人体模型 (HBM) 功能为：请参阅图 1 和表 1，了解更多详细信息。请参阅应用摘记 AN9304 和 AN9612，了解其它信息。
Q2L (C 级)

嵌位二极管

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系列: Q2L (C 级) 技术: 嵌位二极管阵列 Q2L (C 级) 系列 - QFN SIDACtor® 装置 Q2L SIDACtor 系列能够在低压情况下的芯片级封装中提供双向瞬变电压保护。小型封装 QFN (Quad Flatpak 无引线) 适用于DSLAMs、T1/E1/J1 卡、和其它电信设备等电路板密集应用。特性： . 符合 RoHS . 芯片级封装(CSP) 感应 . IPP 额定值范围很宽，其中包括： . --用于 2x10µs GR 1089波形的 500A 型号 . --用于 5x310/10x700µs ITU/YDT波形的 200A 型号 . --用于 10x1000µs GR 1089波形的 100A 型号 . --用于 10x560µs TIA-968 的 150A 型号 . 双向瞬变电压保护 . 占用面积小 (QFN) . Teccor ®品牌 SIDACtor 技术 . 经过 UL E133083 文件号认证保护解决方案符合以下标准： . YD/T 950 . YD/T 993 . YD/T 1082 . GR 1089 . IEC 61000-4-5 . ITU K.20/21 . TIA-968-A